據(jù)媒體12月23日報道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計到明年有自己的產(chǎn)線。

據(jù)了解，比亞迪半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心，擁有IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，包括芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝測試以及整車應(yīng)用。目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型漢EV四驅(qū)版正是國內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計劃，預(yù)計到 2023 年，其旗下電動車將實現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體對 IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10％。

比亞迪半導(dǎo)體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關(guān)。9月17日，比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專訪時回應(yīng)稱，目前，SiC的產(chǎn)能仍在爬坡，而漢EV后驅(qū)版的預(yù)定量非常多，遠超企業(yè)預(yù)期，因此造成供貨趕不上需求的問題。但他也表示，從第四季度開始，SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅(qū)版的銷售需求。”